最新资讯NAND芯片严重供过于求，有厂商开始减产

近期，集邦咨询 TrendForce 发布研究报告，揭示了内存市场的新动态。自 2021 年第四季度开始，由于消费电子产品的需求减弱，内存价格呈现下滑趋势。这一变化受到了多方面因素的影响，包括通胀上升、俄乌战争以及疫情政策等，导致旺季需求疲软，销售压力从买方一直传导至厂商。

面对这样的市场状况，美光公司率先行动。上周，它宣布将减少 DRAM 和 NAND Flash 的生产，成为首个正式降低产能利用率的内存厂商。紧接着，铠侠也宣布将从 10 月起将 NAND Flash 产能利用率降低 30%，以应对市场压力。

在 NAND Flash 方面，美光原计划逐步提高 232 层产品的比例，但随着减产决策的实施，预计 2023 年主流制程将以 176 层产品为主。传统制程的晶圆开工率也将有所下降。这一决策调整不仅关乎产品生产比例的变化，更反映了市场需求的深刻转变。

至于 DRAM 方面，美光强调，明年资本支出将大幅下调，DRAM 生产位元的年增长率预计仅为 5% 左右。与此铠侠和 WDC 原计划从 22 年第四季度开始迁移到 162 层产品。在需求前景不明朗的情况下，WDC 已决定在 2023 年放缓资本支出。原计划中的 162 层产品比例将大幅下降，替代主流 112 层产品的计划也将受到影响。

从 2023 年内存市场的供需情况来看，由于需求前景保守，DRAM 和 NAND Flash 市场各季度均出现严重的供过于求现象。可以预见的是，明年上半年库存压力将继续加剧。面对这样的市场状况，厂商们需要灵活调整策略，以适应市场需求的变化。这一挑战无疑将对整个行业产生深远影响。